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    聚噻吩及聚3-辛基噻吩结构与导电性能研究
    韩菲菲;梁旦;王红敏;唐国强;徐学诚
    华东师范大学学报(自然科学版)    2009, 2009 (2): 129-135.  
    摘要3337)      PDF (1555KB)(2169)   
    采用化学氧化法在不同温度下制备聚噻吩和聚3辛基噻吩,通过红外光谱(FTIR), X衍射分析(XRD),核磁共振谱图(NMR),X光电子能谱(XPS)和紫外可见光谱(UVVis)等手段对聚合物进行了研究.结果表明,聚噻吩侧链基团和制备温度会影响聚合物的构型结构,引起聚合物结晶度的变化.聚3-辛基噻吩结晶度最低,低温制备的聚噻吩结晶度最高.导电性能研究表明,聚噻吩的构型结构和结晶度直接影响其电导率.
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